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碳化硅粉末中杂质元素的测定

碳化硅粉末中杂质元素的测定

2022-06-15T16:06:34+00:00

碳化硅粉知乎

2022年9月21日事实上，碳化硅料源合成过程中进入掺杂元素的可能性很多，例如合成粉料的来源主要有si粉、c粉、加热器、保温结构等，这些都需要系统除杂质。当生长用碳化碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。将碳化矽粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化矽颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测碳化硅维基百科，自由的百科全书在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度,因此建立碳化硅粉表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。2019 2019年9月1日起高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标

9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标《中国粉体工

在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度,因此建立碳化硅粉表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。试验表明,本方法中各元素的检出限为0001～0054μg/mL(见表2)。 [12]刘翰晟碳化硅粉末中杂质元素的测定 [J]上海有色金属(Shanghai Nonferrous Metals),1992,(5)：5758 [13]常电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素百度文库2018年11月18日 LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素 20181118 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特 LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素分析行业新闻

【复材资讯】高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标

2019年9月7日高纯碳化硅微量元素的测定(gb/t372542018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(icpoes)法和电感耦合等离子体质谱(icpms)法测定高纯碳化硅中微量元素含碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下，经氧化还原反应全部转化为铵态氮。消解后的溶液，碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收。用标准盐酸溶液滴定，根据标准盐酸溶液的用量计碳化硅中杂质元素氮的测定《天津化工》2022年04期2021年11月22日高纯碳化硅粉末以及可以廉价、大量且安全地制造高纯碳化硅粉末的方法。杂质含有率为500ppm以下的高纯碳化硅粉末。该碳化硅粉末为硅酸质原料和碳质原料高纯碳化硅知乎

碳化硅维基百科，自由的百科全书

在碳化硅中掺杂氮或磷可以形成 n型半导体而掺杂铝、硼、镓或铍形成 p型半导体。在碳化硅中大量掺杂硼、铝或氮可以使掺杂后的碳化硅具备数量级可与金属比拟的导电率。掺杂Al的3CSiC、掺杂B的3CSiC和6HSiC的碳化硅都能在15K的温度下拥有超导性， [26] [28] 但掺杂Al和B的碳化硅两者的磁场行为有明显区别。掺杂铝的碳化硅和掺杂B的晶体硅本法适用于多种用途的碳化硅中微量元素含量的测定。 1 实验部分 11 主要仪器及工作条件 Thermo ICAP6300 电感耦合等离子体发射光谱仪 (美国热电公司);箱式马弗炉 (沈阳电炉厂)。工作条件：高纯氩气 (纯度大于 99995%); RF,1 150 W;分析泵速,50 r/min;冲洗泵速,100 r/min;光室温度,380℃;检测器温度,472℃;积分时间,20 s;辅助气流量,10 L/min;垂直观电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素百度文库碳化硅中主要杂质元素为游离碳、游离硅、二氧化硅及微量杂质元素。游离碳可通过燃烧除去;游离硅、二氧化硅通过熔解完样品后加入HF、HClO4蒸干而与碳化硅晶体内部的硅一同挥发除去。制备样品溶液时引入了大量的钠、硼、硝酸根离子,虽然本仪器比以前ICP仪器在检测器等方面有很大的改进,但仍然不能把这些干扰消除到忽略不计的程度。硼的干扰采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素百度文库

高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T372542018

2019年9月12日高纯碳化硅微量元素的测定 (GB/T372542018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICPOES)法和电感耦合等离子体质谱 (ICPMS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于999%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、锌等16种元素的测定。 2019年9月7日高纯碳化硅微量元素的测定 (GB/T372542018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICPOES)法和电感耦合等离子体质谱 (ICPMS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于999%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、锌等16种元素的测定。各【复材资讯】高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、密度和强度高、致密性好等特点。此类碳化硅器件难于制备成粉末，对酸和碱有强的抵抗力，难以消解成溶液，常规激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素百度

一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法与流程 X技术网

2019年11月16日高纯碳化硅原料中杂质含量的高低直接影响着半绝缘碳化硅单晶电阻率的高低，杂质含量越低，碳化硅单晶的电阻率越高。然而在合成的高纯sic粉料中一般含有n、b、al等杂质元素，这些杂质在晶体生长过程中不易完全去除并随着晶体生长进入到晶格位置，使碳化硅晶体呈现n型或p型导电特性。因此 2021年11月22日杂质含有率为500ppm以下的高纯碳化硅粉末。该碳化硅粉末为硅酸质原料和碳质原料混合而成的碳化硅制造用原料，通过利用艾奇逊炉4的发热体2对碳质原料与硅酸质原料的混合摩尔比 (C/SiO2)为25～40且杂质含有率为120ppm以下的碳化硅制造用原料进行加热，可以得到该高纯碳化硅粉末。以往以来，高纯碳化硅 (SiC)被广泛用作抛光或磨高纯碳化硅知乎痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、密度和强度高、致密性好等特点。此类碳化硅器件难于制备成粉末，对酸和碱有激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素参考网